据《日经亚洲》报道,尽管被美国列入实体清单,内地NAND闪存晶片龙头长江存储(YMTC),正因国产化趋势与人工智能热潮带动的内需激增,已启动第三座工厂的建设工程。
报道引述三位知情人士透露,长江存储已於武汉展开第三座厂房建设,计划於2027年投产,同时正加速提升第二座厂房的产能布局。长江存储市占率持续扩张,即便仍聚焦内地市场,两年内其产能有望跃居全球第五甚至第四大生产商。
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另有两名消息人士向《日经亚洲》表示,长江存储正考虑进军动态随机存取记忆体(DRAM)晶片领域,此类晶片正是AI资料中心广泛使用的高频宽记忆体(HBM)基础元件。无论DRAM或NAND快闪记忆体,均为资料中心、电脑、智慧型手机及其他电子设备的关键零组件。NAND生产长期由少数供应商主导,包括三星电子(005930.KS)、铠侠(285A.JP)、SanDisk(SNDK.US) 、SK海力士(000660.KS)、美光科技(MU.US) 以及思得(Solidigm)。(da/a)(美股为即时串流报价; OTC市场股票除外,资料延迟最少15分钟。)
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